Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Метод LEC является одним из основных в производстве монокристаллов GaAs и InAs. Для подавления миграции компонентов, расплава находится под слоем легкоплавкого флюса, плотность которого меньше плотности расплава. Дополнительно создается избыточное давление аргона.
Для создания требуемого теплового поля и управления градиентами температур в установке предусмотрено три нагревателя. Основной и донный нагреватели неподвижные, а верхний (фоновый) нагреватель оснащён приводом перемещения.
Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере. Для контроля массы растущего кристалла установлен датчик веса. При необходимости контроля температуры нагревателей и/или расплава могут устанавливаться пирометры.
В установке предусмотрена герметичная система отвода газов из камеры перед каждым ее открытием. Вакуумная камера рассчитана на вакуум и избыточное давление до 10 атм, что в совокупности с жидкостной герметизацией расплава позволяет выращивать монокристаллы арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs) с минимальной диффузией исходных компонентов.
Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.
