Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского (Ника-3)
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
 "Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других. НИКА-3 разработана с учетом опыта эксплуатации оборудования предыдущего поколения, рекомендаций наших заказчиков, естественного прогресса технических характеристик комплектующих устройств и программного обеспечения. Прямой привод ходового винта механизма вытягивания с использованием шаговых двигателей технологии НАНОШАГ (Nanostep) c разрешением до 500.000 шагов на оборот, обеспечивающий отсутствие микро-ускорений на малых скоростях вытягивания; Использование длинноходных (550 мм) тарельчатых сильфонов для уплотнения штоков; Новая механика системы взвешивания кристалла, существенно снижающая шум измерения при вращении кристалла; Программное обеспечение для сквозной автоматизации процесса; Комплектация установки транзисторным генератором (IGBT) мощностью 40 или 100 кВт."
Вас также могут заинтересовать
Установка НИКА-ПРОФИЛЬ предназначена для промышленного производства монокристаллов профилированного сапфира. Установка создана на базе современной механики и электроники, распределенных систем сбора и
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Внимание!
Информация по Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского (Ника-3) предоставлена компанией-поставщиком ЭЗАН (Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро), ФГУП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
