Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.
Для выращиваниямонокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) широко применяется метод Чохральского. Выращивание происходит в среде водорода. Для этого в установках предусмотрены генератор водорода и фильтр для водорода на основе палладиевой мембраны с максимальным протоком до 100 л/час.
В камере сделаны отдельные вводы для инертного газа (снизу) и водорода (сверху).На каждую линию устанавливаются регуляторы расхода газа с расходом: 1-100 л/час.
Для освещения камеры изнутри, установлены светодиодные лампочки (сверху и снизу).Предусмотрен ввод для термопары и окно для инфракрасного пирометра по центру нагревателя.
Газовая система предусматривает автоматический сброс (стравливание) газа из камеры в вентиляционную систему, при росте давления выше рабочего (1,0 кгс/см2). Также в камере предусмотрена разрывная мембрана, на случай резкого повышения давления в камере.
Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере. Для контроля массы растущего кристалла установлен датчик веса.
В установке предусмотрена герметичная система отвода газов из камеры перед каждым ее открытием.
Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.
