Поиск:
 

Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира

RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира
Установка НИКА-ПРОФИЛЬ предназначена для промышленного производства монокристаллов профилированного сапфира. Установка создана на базе современной механики и электроники, распределенных систем сбора и обработки данных, программного обеспечения управления процессом кристаллизации с возможностью адаптивного управления. Индукционный нагрев осуществляется с помощью высокостабильного транзисторного генератора мощностью до 100 кВт. Установка позволяет выращивать кристаллы массой до 7 кг, шириной до 250 мм и длиной до 850 мм из тиглей диаметром до 220 мм. Установка может комплектоваться прецизионной системой резистивного нагрева номинальной мощностью 120 кВт. Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность сквозной автоматизации процесса с автоматическим затравливанием. Программный модуль сбора-обработки технологических данных и данных после ростового анализа структуры кристалла позволяет эффективно оптимизировать технологический процесс. 
Вас также могут заинтересовать

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира способом Киропулоса (Шерна)

Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса. 

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т

Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к

Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание!
Информация по Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира предоставлена компанией-поставщиком ЭЗАН (Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро), ФГУП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Московская область
Город
Черноголовка
Адрес
Черноголовка, просп. Академика Семенова, д. 9
Телефон
+7 (495) 9933757
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие