Поиск:
 

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)

RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся техническая простота процесса и возможность выращивания кристаллов больших размеров (>500 кг) с низкой плотностью дислокаций.

По методу Киропулоса весь объем исходного сырья кристаллизуется в буль. Размер и соотношение сторон тигля близки к размеру конечного кристалла, и кристалл растет вниз, в тигель. Вытягивание затравки вверх (предложил М.И. Мусатов) происходит гораздо медленнее, чем рост кристалла вниз, и служит в первую очередь для формирования мениска границы раздела кристалл-жидкость за счет поверхностного натяжения.

Скорость роста управляется путем медленного снижения температуры до тех пор, пока весь расплав не кристаллизуется. Подвешивание затравки к датчику веса обеспечивает обратную связь для определения скорости роста.

Процесс проводят в протоке аргона, или в условиях высокого вакуума.

В ООО «НПО «ГКМП» можно заказать установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира и других материалов по методу Киропулоса. Наше оборудование предполагает выращивание кристаллов лейкосапфира массой до 65 кг. В установках применены нестандартные решения по расположению токовводов и крышке камеры. На колонне установлен индивидуальный тельфер на 500 кг. Технологи, в сотрудничестве с которыми создавалось наше оборудование, высоко оценили преимущества новых решений.

Установки оснащаются современной системой управления, которая осуществляет: измерение действующих значений тока, напряжения и мощности нагревателя; контроль давления в рабочей камере и в форвакуумной линии; управление перемещением и вращением штока; измерение температуры и расхода охлаждающей воды в каждом контуре; измерение массы кристалла; сигнализацию опасных ситуаций и многое другое.

Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.

Цена: под заказ руб.
Вас также могут заинтересовать

"Установка "Редмет 90М" для выращивания монокристаллов крмения диаметром 300 мм и длинной до 3000 мм методом Чохральского"

"ОАО «Гиредмет» имеет почти пятидесятилетний опыт создания промышленных установок для выращивания монокристаллов кремния. За это время на промышленных предприятиях было внедрено более 1000 единиц назв

"Установка выращивания монокристаллов лейкосапфира ""Сапфир-210"""

"Установка ""Сапфир-210"" с камерой диаметром 650 мм и аппарат кристаллизационный ""Сапфир -КР"" с камерой диаметром 900 мм предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Багдасаров

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского (Ника-3)

"Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ни

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание!
Информация по Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ) предоставлена компанией-поставщиком ООО "НПО "ГКМП". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Московская область
Город
москва
Адрес
ул. Толбухина, д. 10, корп. 2, пом. 1, комн. 11
Телефон
8(4832) 58-19-66
Интернет
gkmp32.com
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие