Поиск:
 

Транзистор IGBT IRG4BC30F

RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Транзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220
Характеристики: 600 В, -31 А

Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение К-Э максимальное 600 ВТок коллектора максимальный при 25°-C 31 АТок коллектора максимальный при 100°-C 17 АНапряжение насыщения К-Э 1.59 ВВремя нарастания 26 нсВремя спада 160 нсВремя восстановления диода 60 нсПрямое падение напряжение диода 1.7 ВПримечание IGBT Discretes, Hard switching, FAST 1-8 kHz


Вас также могут заинтересовать

транзистор IGBT

IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол

Транзистор IGBT FGH40N60SMD

КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики:  -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT h30r1602

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |

Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |

Транзистор IGBT GT30J122

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT IRG4BC30F предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие