транзистор IGBT

IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного биполярного транзистора (с низким уровнем потерь) и полевого транзистора, управление которым возможно под воздействием электрического поля. Подобный механизм работы был разработан в начале 80-х годов. Однако первые чипы IGBT не получили широкого распространения из-за высокого входного сопротивления и низкого остаточного напряжения. Сегодня же компании ABB Semiconductors удалось разрешить технические трудности и наладить производство IGCT и IGBT ключей и драйверов для IGBT модулей. Прохождения тока через прибор управляется источником напряжения (15 В), который отличается большим внутренним сопротивлением, и обеспечивает возможность изменения больших токов сигналом управления малой мощности. В нашей компании вы можете приобрести ключи IGBT и IGBT, драйверы для IGBT модулей, а также другое высокотехнологичное оборудование производства компании ABB Semiconductors. HiPak: Модули HiPakTM являются IGBT высокой мощности в стандартных корпусах с размерами основания 190x140 мм (HiPak2) и 140x130 мм (HiPak1). Модули выпускаются с монтажным основанием из композиционного материала AlSiC с целью обеспечения отличной термоциклической способности и субстратами из нитрида алюминия для обеспечения низкого теплового сопротивления. Модули производятся в виде одиночных IGBT, двух IGBT в одном корпусе, двух диодов и IGBT с диодом в одном корпусе. Модули с напряжением изоляции 10,2 кВ имеют маркировку HV. Модули HiPakTM разработаны с использованием новой технологии чипов SPT (Soft Punch Through). Эта технология АBB сочетает низкие потери с мягкими характеристиками переключения и широкой областью безопасной работы.