Поиск:
 

Транзистор IGBT GT30J122

RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Транзистор IGBT GT30J122
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N)
Характеристики: Silicon N-Channel IGBT

Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Вас также могут заинтересовать

транзистор IGBT

IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол

Транзисторы IGBT GT50J101

Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С

Транзистор IGBT FGH40N60SMD

КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики:  -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT h30r1602

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |

Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT GT30J122 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие