Транзисторы IGBT GT50J101
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600Максим
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзисторы IGBT GT50J101 предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
