Вход Регистрация
Добавить объявление
Главная
Новости Каталог товаров Каталог компаний Спрос Интервью Мероприятия Регионы Еще »
Поиск:
 

Транзисторы IGBT GT50J101
RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать

Транзистор IGBT IRG4BC30F

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение

Транзистор IGBT h30r1602

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |

Транзистор IGBT GS30B60K

КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |

Транзистор IGBT GT30J122

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзисторы IGBT GT50J101 предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Электропласт, ООО
Страна
Россия
Регион
Ленинградская область
Город
Санкт-Петербург
Адрес
Санкт-Петербург, ул. Маршала Говорова, д. 47
Телефон
+7 (812) 3095832
Товары и услуги (20)
Разделы и рубрики
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие