Транзистор IGBT h30r1602
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |
Вас также могут заинтересовать
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики: -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600Максим
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT h30r1602 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
