Поиск:
 

Установка для определения резонансного потенциала методом Франка и Герца ФПК 02м

RU-1000 Рейтинг
Поделитесь страницей в Социальных сетях
Установка для определения резонансного потенциала методом Франка и Герца ФПК 02м
Позволяет воспроизводить классический опыт Франка и Герца по определению резонансного потенциала и измерять энергию резонансного уровня. Для исследования зависимости анодного тока лампового газонаполненного триода от напряжения сетка-катод (вольт-амперную характеристику) с максимумами и минимумами, характерными для опыта Франка и Герца, используется осциллограф любого типа. Обеспечивается возможность работы ПЭВМ типа IBM РС через интерфейс CENTRONIX. Технические характеристики Электропитание от сети переменного тока: напряжением, В 220 частотой, Гц 50 Потребляемая мощность, В· А 60 Габаритные размеры, мм: устройства змерительного 240х75х310 объекта исследования 350х190х190 Масса (общая), кг 12
Вас также могут заинтересовать

Устройство для определения границы пластичности методом раскатывания ГТ 1.8.2

"Назначение Предназначено для автоматического раскатывания образцов грунта при испытании образцов связного грунта методом раскатывания в жгут по ГОСТ 5180-84 Описание Устройство обеспечивает: - автома

Установка для выплавки модельного состава мод. 64511 и 64531

Удаление модельного состава из форм при массовом и крупносерийном производстве (модель 64511) и мелкосерийном производстве (модель 64531) отливок методом литья по выплавляемым моделям. Установка модел

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд

Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив
Внимание!
Информация по Установка для определения резонансного потенциала методом Франка и Герца ФПК 02м предоставлена компанией-поставщиком Учебная техника, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Московская область
Город
Москва
Адрес
Москва, ул. Брянская, д. 7, оф. 308
Телефон
+7 (495) 7249309
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие