Обозначение Напряжение VCES (В)Ток IC (A)Корпус Конфигурация Исполнение HiPak1 5SND 0800M170100 1700 2 x 800 HiPak1 (3) - Dual IGBT M 5SNE 0800M17010...
Потери IGBT в проводящем состоянии несколько выше по сравнению с GTO и IGCT. Потери при выключении, с другой стороны, ниже. По этой причине оптимальна...
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. I...