Чипы: диодов тиристоров триаков
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Потери IGBT в проводящем состоянии несколько выше по сравнению с GTO и IGCT. Потери при выключении, с другой стороны, ниже. По этой причине оптимальная частота переключения IGBT выше, чем у приборов GTO и IGCT тех же номиналов. IGBT могут применяться и без цепей защиты (снабберов), позволяя создавать крайне простые топологии преобразователей. Цена этой простоты заключается в том, что большая часть потерь преобразователя рассеивается в кремнии и преобразуемая мощность ограничивается теплоотводом. Уникальная особенность IGBT состоит в их возможности выдерживать короткие замыкания на выводах (большой ток и высокое напряжение через прибор одновременно). При коротком замыкании IGBT ограничивает ток на уровне заложенном при разработке, и существует возможность безопасно выключить короткое замыкание в течение 10 микросекунд сигналом на затворе, не повреждая прибор. - Передовые планарные IGBT и соответствующие диоды - Высокая устойчивость к динамическим нагрузкам и низкие потери переключения - Низкие потери проводимости, и положительный коэффициент температуры - Пригодны для параллельного соединения для надежной работы схем
Вас также могут заинтересовать
"Купить силовые полупроводниковые приборы с гарантией производителя серии 112, 122, 132, 142, 152: Диоды, диоды лавинные, диоды частотные; Тиристоры, тиристоры быстродействующие, тиристоры оптронные,
Модуль тиристор-диод Корпус SEMIPACK-5, 540А, 1200V, -40°C до +130°C (производство Semikron) Количество: 63
Артикул2359555680МатериалмраморВнешний видкаменьФорма чипаромбовидная
ПроизводительNatural MosaicАртикул3633006557МатериалстеклоПоверхностьглянцевая
Внимание! Информация по Чипы: диодов тиристоров триаков предоставлена компанией-поставщиком Цпмк, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|