Диоды по прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок допускают воздействие синусоидальных вибрационных нагрузок на частоте 50 Гц с ус...
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(...
Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы MOSFET отличаются от биполярных транзисторов наносекундной скоростью переключения, высоки...
Имя GT30J322 Производитель Toshiba Corporation Корпус TOP-3 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 3 В VGE: 15 В IC:...