Транзисторы полевые Mosfet
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы MOSFET отличаются от биполярных транзисторов наносекундной скоростью переключения, высокими рабочими напряжениями, большими токами и мощностью, линейными характеристиками и высокими рабочими температурами. Обычный MOSFET представляет собой планарную структуру с длинным каналом, которая получается фотолитографическими методами, ограничивающими минимальную длину канала, по крайней мере до 5 мкм. Вследствие увеличивающейся степени интеграции и обусловленного этим роста плотности элементов на кристалле освоен выпуск MOSFET с меньшей шириной линий и глубиной диффузии. Успешное создание MOSFET с коротким каналом частично явилось следствием внедрения этой прогрессивной технологии.
Вас также могут заинтересовать
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током).
Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, ток в котором изменяется в зависимости от воздействия электрического поля. В транзисторе используется проводимость одной полярности-электронная или дыр
Продажа транзисторов полевых импортных
Полевой транзистор (англ. field-effect transistor, FET) — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигн
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака
Внимание!
Информация по Транзисторы полевые Mosfet предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
