Транзисторы полевые Mosfet
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы MOSFET отличаются от биполярных транзисторов наносекундной скоростью переключения, высокими рабочими напряжениями, большими токами и мощностью, линейными характеристиками и высокими рабочими температурами. Обычный MOSFET представляет собой планарную структуру с длинным каналом, которая получается фотолитографическими методами, ограничивающими минимальную длину канала, по крайней мере до 5 мкм. Вследствие увеличивающейся степени интеграции и обусловленного этим роста плотности элементов на кристалле освоен выпуск MOSFET с меньшей шириной линий и глубиной диффузии. Успешное создание MOSFET с коротким каналом частично явилось следствием внедрения этой прогрессивной технологии.
Вас также могут заинтересовать
2N6661 SEMELAB - Транзисторы полевые Имя 2N6661 Производитель SUPERTEX Inc. Корпус TO-39 Класс Транзисторы полевые Характеристики Тип: MOSFET Пол.: N Uds: 90 В Id: 0.9 А Rds: 4 мОм Pd: 6.25 Вт Ugs: 20
Транзисторы полевые 2N6659 SEMELAB Имя 2N6659 Производитель SEMELAB Корпус TO-39 Класс Транзисторы полевые Характеристики Тип: MOSFET Пол.: N Uds: 35 В Id: 2 А Rds: 1.8 мОм Pd: 6.25 Вт Ugs: 30 В Cd: 5
Полевой транзистор (англ. field-effect transistor, FET) — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигн
Реализация транзисторов полевых отечественных.
Внимание!
Информация по Транзисторы полевые Mosfet предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
