IGBT - биполярные транзисторы
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Биполярныйтранзистор с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный, в основном, для управления электрическими приводами.
Вас также могут заинтересовать
Структура: NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: - Макс. напр. к-э при
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики: -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD
Внимание!
Информация по IGBT - биполярные транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
