Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного заказчика.
Вас также могут заинтересовать
Кремниевый мезапланарный мощный n-p-n транзистор 2Т803А в металлостеклянном корпусе предназначен для работы в усилительных схемах аппаратуры специального назначения. Транзисторы соответствуют техничес
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD
Внимание!
Информация по Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов предоставлена компанией-поставщиком Синтез Микроэлектроника, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
