"Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006"""
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Предназначена для автоматизированного выращивания монокристаллов высокотемпературных материалов методом Амосова.
Вас также могут заинтересовать
Предназначена для выращивания методом Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния полупроводниковой чистоты диаметром до 250 мм. Устройство для вращения и передвижения растущего монокристалл
Установка предназначена для автоматизированного выращивания высокотемпературных лазерных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.
Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет
Внимание!
Информация по "Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006""" предоставлена компанией-поставщиком НИИ Изотерм, ОАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
