Транзистор 1Т403В

Транзистор MOSFET 1NK60Z

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр

Транзистор MOSFET APM4546

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi

Транзисторы

Компания основана в 1999г. Более 10лет мы являемся комплексным поставщиком электронных компонентов, измерительного оборудования и инструментов промышленного и бытового назначения. Приоритетным направл

Транзисторы типа КТ 201 - 3 длинных позолоченных вывода

Транзисторы марок КТ(КП, 2Т) 201, 203, 213, 217, 303, 3102, 3107 - 3 длинных позолоченных вывода 2,5 см, d = ~ 0,5 cm, желтый ободок