Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
"Установка "Waltcher-30" предназначена для расплавления сырья, выращивания кристаллов из расплава и отжига синтетического корунда. Размеры рабочей камеры Внутренний диаметр, мм 540 высота, мм 820 Максимальная температура в тигле, С 2400 среды в рабочее пространство: вакуум, Па 6,7x10-3 инертного газа МПа 0,05 Максимальные размеры тигля наружный диаметр, мм 250 Высота, мм 380 Питание трансформатора Установленная мощность, кВт-ч, 80 Потребляемая мощность кВт, не более 60 питание - линейная 380 Частота сети, Гц 50 Максимальное напряжение вторичной цепи, В 12 Скорость подъема штока, мм / ч 0,1-2,0 Максимальное усилие подъема штока, KH 2 Напряжение подъема двигателя, V 24 Частота обратного вращения стержня, об / мин 0-20 Сила вращения двигателя, Вт 60 Напряжение питания, В 220 Мощность, потребляемая электромагнитной муфты в том числе вращающийся стержень, W 15 Напряжение питания, В 24 Мощность электродвигателя Форвакуумный насоса, кВт 2,2 питания, В 380 Мощность электродвигателя вакуумным затвором, кВт 0,18 питания, В 380 Сила нагреватель диффузионного насоса, кВт 2,4 Напряжение питания, В 220 потребляемая мощность электромагнитного клапана, кВт 0,15 питания, В 220 Расход охлаждающей воды, не более, мЗ / ч 6,0 Давление воды на входе в системы охлаждения за счет 6,0 м / ч, не менее, МПа 0,2 Температура воды на входе, не более, С 24-26 Температура воды на выходе, не более, С 40"
Вас также могут заинтересовать
Печь «Сапфир 175» (СЗВН-175.320.35/22-И1), Оборудование для выращивания кристаллов Электропечь предназначена для выращивания монокристаллических пластин тугоплавких материалов методом зонного проплавл
"Описание Установка "Waltcher-60" предназначена для расплавления сырья, выращивания кристаллов из расплава и отжига синтетического корунда. Размеры рабочей камеры Внутренний диаметр, мм 670 Высота, мм
"Установка "Waltcher-85" предназначена для расплавления сырья, выращивания кристаллов из расплава и отжига синтетического корунда. Размеры рабочей камеры Внутренний диаметр, мм 670 высота, мм 1010 Мак
Предлагаем проектирование грибных ферм, поставку оборудования, пуск в эксплуатацию. Обучаем технологии. Производительность не ограничена. Линии производства компоста. Системы и оборудование для обрабо
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд
Внимание! Информация по Оборудование для выращивания кристаллов Waltcher 30 предоставлена компанией-поставщиком Нанотех, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|