С вводом в эксплуатацию обновленного кристального производства возможности АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (г. Воронеж) по изготовлению передовой ЭКБ вышло на новый уровень.
В результате выполнения федеральной целевой программы (ФЦП) «Техническое перевооружение производства СБИС и мощных СВЧ транзисторов» были построены чистые производственные помещения классов 5 и 6 ИСО общей площадью 1250 м2, где разместились участки, обеспечивающие полный цикл изготовления кристаллов полупроводниковых приборов на основе кремния.
Производство пополнилось новыми установками для выполнения химической обработки, фотолитографии, утонения пластин и плазмохимического травления.
Среди нового оборудования можно выделить установку мультипликации и экспонирования фоторезиста (степпер) NSR-2205il2D с минимальной шириной воспроизводимого элемента 0,28 мкм.
Именно от этой установки в первую очередь зависят проектные нормы, а следовательно, возможности производства по изготовлению компонентов с малыми размерами и высокой степенью интеграции. Линейный размер элемента 0,28 мкм соответствует требованиям, предъявляемым при производстве широкой номенклатуры современных дискретных полупроводниковых приборов, включая мощные СВЧ и силовые транзисторы.
Среди новых единиц оборудования есть и белорусская установка — Р200 от компании «Стратнанотек», предназначенная для плазмохимического удаления фоторезиста.
Модернизация кристального производства — очередной этап перевооружения производства АО «НИИЭТ». Первый этап был завершен в 2016 году сдачей в эксплуатацию мощностей по сборке ЭКБ и модулей в металлокерамические корпуса. Сборочное производство «НИИЭТ» обладает широким спектром возможностей, включающим не только корпусирование полупроводниковых приборов и ИС, но и изготовление многокристальных модулей и систем в корпусе — изделий, которые обладают большим потенциалом для развития отечественной сложнофункциональной компонентной базы. Оно позволяет упаковывать ИС с числом выводов до 1,5 тыс. и обладает мощностью до 200 тыс. изделий в год. На данной площадке собирается не только продукция самого предприятия, но и изделия внешних заказчиков, количество которых составляет порядка 130.
Ввод в эксплуатацию обновленного кристального производства уже позволил повысить качество выпускаемой предприятием продукции и увеличить выход годных. Кроме того, новые технологические возможности будут способствовать глубокой локализации изготовления перспективных изделий АО «НИИЭТ».
"Доведенный до логического конца проект — это всегда повод для гордости. Особенно когда речь идет о таком сложном многостадийном процессе, каким является перевооружение микроэлектронного производства. Результатом выполнения ФЦП стали во многом уникальные для отечественного рынка производственные возможности нашего предприятия, которые, я уверен, позволят нам обеспечивать российскую промышленность качественными современными электронными компонентами, а также создавать конкурентоспособную электронную продукцию, в том числе для гражданского рынка", — отметил генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел Куцько.
Создание данной площадки также обеспечивает базу для дальнейшего внедрения на предприятии многообещающей технологии постростового производства на основе гетероструктур нитрида галлия. «Развитие мощных СВЧ- и силовых транзисторов на основе кремния подходит к своим предельным возможностям, поэтому всё более широкое применение находят транзисторы на основе гетероструктур GaN, которые по таким параметрам, как рабочая частота, быстродействие, энергоэффективность, более чем на порядок превосходят кремниевые приборы. В построенных чистых помещениях предусмотрены свободные площади, где планируется установить дополнительное технологическое оборудование, которое с учетом уже действующих технологических участков позволит обеспечить замкнутый цикл кристального производства приборов на основе гетероструктур нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм», — прокомментировал эти перспективы технический директор АО «НИИЭТ» Игорь Семейкин.
