RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0)
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0) | Производитель | Samsung | | Артикул | 3026269239 | | Тип | DDR | | Объем одного модуля | 4 ГБ | | Тактовая частота | 266 | | Количество модулей в комплекте | 1 | | CL | 2.5 |
Цена: 113760 руб.
Вас также могут заинтересовать
RAM DDRIII-1066 Samsung M393B5170DZ1-CF8 4Gb REG ECC PC3-8500(M393B5170DZ1-CF8)ПроизводительSamsungАртикул3917003937ТипDDR3Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1066Количество модулей в комплекте1CL7
RAM DDRII-667 HP (Hynix) HYMP351P72AMP4-Y5 4Gb REG ECC LP PC2-5300P(432670-001)ПроизводительHynixАртикул3743595888ТипDDR2Объем одного модуля4 ГБТактовая частота667Количество модулей в комплекте1CL5
RAM DDRIII-1333 Dell (Samsung) M393B5270DH0-YH9 4Gb 1Rx4 REG ECC Low Voltage PC3L-10600-09 For R410 R510 R710 T410 T610 T710 R910(M393B5270DH0-YH9)ПроизводительSamsungАртикул4043426947ТипDDR3LОбъем од
RAM DDRIII-1333 IBM (Hynix) HMT351V7BFR8C-H9 4Gb REG ECC 2Rx8 Dual Rank VLP PC3-10600R-09(44T1596)ПроизводительLenovoАртикул3171292349ТипDDR3Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1333Количество модул
RAM DDRIII-1333 HP (Samsung) M393B5270CH0-YH9 4Gb 1Rx4 REG ECC Low Voltage PC3L-10600R-9(606426-001)ПроизводительHPАртикул471196225ТипDDR3Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1333Количество модулей
Внимание!
Информация по RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0) предоставлена компанией-поставщиком Шаг, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
