RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0)
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0) | Производитель | Samsung | | Артикул | 3026269239 | | Тип | DDR | | Объем одного модуля | 4 ГБ | | Тактовая частота | 266 | | Количество модулей в комплекте | 1 | | CL | 2.5 |
Цена: 142200 руб.
Вас также могут заинтересовать
RAM DDRIII-1066 Dell-Hynix SNPH959FC/4G HMT151R7TFR8C-G7 4Gb REG ECC Dual Rank LP PC3-8500(370-14188)ПроизводительDELLАртикул3979976442ТипDDR3Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1066Количество моду
RAM DDRIII-1066 Samsung M393B5170DZ1-CF8 4Gb REG ECC PC3-8500(M393B5170DZ1-CF8)ПроизводительSamsungАртикул3917003937ТипDDR3Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1066Количество модулей в комплекте1CL7
RAM DDRIII-1333 Dell (Samsung) M393B5270DH0-YH9 4Gb 1Rx4 REG ECC Low Voltage PC3L-10600-09 For R410 R510 R710 T410 T610 T710 R910(M393B5270DH0-YH9)ПроизводительSamsungАртикул4043426947ТипDDR3LОбъем од
RAM DDR266 HP 2048Mb REG ECC PC2100(300682-B21)ПроизводительHPАртикул177957111ТипDDRОбъем одного модуля2 ГБТактовая частота266Количество модулей в комплекте2
RAM DDR266 HP-Hynix HYMD264G726B4M-H 512Mb REG ECC PC2100(261584-001)ПроизводительHynixАртикул3026338818ТипDDRОбъем одного модуля0.5 ГБТактовая частота266Количество модулей в комплекте1
Внимание!
Информация по RAM DDR266 Samsung M312L5128MT0-CB0 4Gb REG ECC PC2100(M312L5128MT0-CB0) предоставлена компанией-поставщиком Шаг, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
