Излучающие структуры ИК диапазона 680-950нм
Компания «Мега Эпитех» производит широкий спектр излучающих структур ИК-диапазона, отвечающих конкретным требованиям заказчиков и отличающихся определенным набором свойств, таких как:
тип конструкции структуры (HS, DH, DDH);
количество и тип эпитаксиальных слоев;
величина мощности излучения;
длина волны излучения;
параметры быстродействия.
Структуры представляют собой круглые пластины диаметром 37-40мм или 50мм и толщиной 150-450 мкм.
Основные типы производимых структур представлены ниже в таблице.
Тип
структуры
Материал структуры/
подложки
Длина волны
пика электро
люминесценции
?p,±10(±5)*[nm]
Мощность излучения
при 20мA
P0 [мВт]
Прямое падение напряжения
при 20 мA
Uf [В]
Обратное падение напряжения
при 10 мкA
Ur [В] мин.
Время отклика
[нс]
min. typ. typ.
max.
Tr
Tf
HS950P
p-side up
GaAs/
n-GaAs
950
1.0 1.2 1.1 1.2 8 500
500
DH860N type 1
n-side up
AlGaAs/
p-GaAs
860
0.8 1.2 1.30 1.40 8 30
25
DH860N type 2
n-side up AlGaAs/
p-GaAs
860
1.4 1.8 1.30 1.40 8 60
50
DDH910P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs
910
3.0 3.5
1.25
1.35
8
120
100
DDH870P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs
870
3.5 4.0 1.25 1.35 8 30
25
DDH870PS
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs
870
2.8 3.4 1.25 1.35 8 10 10 DDH850P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs
850
3.5 4.0 1.30 1.40 8 30 25 DDH900N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
900
3.0 3.5 1.35 1.50 8 80 60 DDH870N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
870
3.5 4.3 1.35 1.50 8 40 30 DDH850N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
850
3.5 4.0 1.40 1.55 8 40 30 DDH810N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
810
3.8 4.5 1.45 1.65 8 40 30 DDH770N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
770
3.5 4.0 1.50 1.70 8 40 30 DDH740N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
740
3.5 4.0 1.60 1.70 8 40 30 DDH725N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
725
3.2 3.8 1.60 1.70 8 40 30 DDH700N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
700
3.5 4.0 1.70 1.75 8 50 35 DDH680N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs
680
3.5 4.0 1.70 1.75 8 50 35
*по требованию заказчика
