Тиристор-диодный модуль (верхний тиристор) SEMiX 302KT
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
Максимально допустимый средний ток тиристора ITAV @ A 300 Tc @ °C 85 Обратное напряжение тиристора VRRM @ V (max.) 1600 ITSM @ A 8000 Rth(j-c) @ K/W 0,09
Вас также могут заинтересовать
Xappктepиcтики мoдуля: Maкcимaльнo дoпуcтимый cрeдний тoк тиpистoрa ITAV @ A 700 Tc @ °C 100 Oбратноe напpяжeниe тиpистopа VRRM @ V (mах.) 2200 ITSM @ A 25000 Rth(j-c) @ K/W 0,06 Наименование Обpатное
МД - диодные модули Диоды модульного типа в силу своих конструктивных особенностей наиболее восстребованы и применяемы в новом промышленном оборудовании и устройствах. По сравнению с таблеточными диод
Хаpактeриcтики мoдуля: Мaксимaльно дoпуcтимый cредний тoк тиpистоpа ITAV @ A 273 Tc @ °C 85 Обpатноe напряжeние тиpистоpа VRRM @ V (max.) 1600 ITSM @ A 9000 Rth(j-c) @ К/W 0,1 Нaименoвaние Обрaтное нa
Неуправляемый (диодный) модуль ВС-600.
Наименование МДД40-12 Функциональная группа Диодный модуль Функциональный тип низкочастотный Метод монтажа Механический Рабочее положение любое Дата выпуска 01.01.1990 Торговая марка ОсОО
Внимание!
Информация по Тиристор-диодный модуль (верхний тиристор) SEMiX 302KT предоставлена компанией-поставщиком IGBT-Electronics (АйДжиБиТи-Электроникс), ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
