Транзисторы
|
Поделитесь страницей в Социальных сетях
|
|
1КТ 3101 Б13.95 р. 21Т 305 Б16.27 р. 31Т 313 В7.20 р. 41Т 901 А34.87 р. 51Т 910 АД46.50 р. 61Т308А0.00 р. 71Т308Б4.65 р. 81Т308В4.65 р. 91Т311А18.60 р. 101Т311Б9.00 р. 111Т311Г46.50 р. 121Т311Д13.95 р. 131Т311К17.01 р. 141Т313А7.20 р. 151Т313Б7.20 р. 161Т320А8.83 р. 171Т320Б37.20 р. 181Т320В33.48 р. 191Т321А6.00 р. 201Т321Б33.48 р. 211Т321В27.90 р. 221Т321Г2.50 р. 231Т321Д8.37 р. 241Т321Е2.50 р. 251Т329А35.00 р. 261Т329Б41.70 р.
Вас также могут заинтересовать
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3Конфигу
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi
Внимание!
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Радио техническая компания Арго, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
|
