Модуль памяти DDR 3

Модуль памяти Samsung DDR III 2 Gb 1066 MHz

Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 2048 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low

Модули памяти DDR SDRAM 1024Mb PC3200

Технические характеристики: Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG Тип памяти DDR Объем 1024Mb Частота памяти PC3200, 400MHz Напряжение питания не указано производителем Тайминги не указано производит

Модуль памяти DDR III 2048 Mb 1333 Mhz PC-10600 SiliconPower

Модуль памяти DDR III 2048 Mb 1333 Mhz PC-10600 SiliconPower (SP002GBLTU133V02) Технические характеристики Тип памяти: DDR III Объем модуля: 2048 Mb Частота шины: 1333 Mhz Пропускная способность шины:

Модуль памяти DIMM DDR 128 Mb

Модуль памяти DIMM DDR 128 Mb  

Модуль памяти DIMM 1ГБ DDR SDRAM Kingston "ValueRAM"

Технические характеристики Тип памяти DDR SDRAM Объем 1024 МБ Организация 16 Мбит x 8 бит x 4 банка Частота работы 200 МГц Эффективная частота 400 МГц Пропускная способность 32